Профессор И.А. Каплунов выступил на Российской конференции по физике полупроводников

В Санкт-Петербурге на базе Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе и Алферовского университета с 7 по 11 октября проходит VI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI), в которой принял участие заведующий кафедрой прикладной физики, профессор Иван Александрович Каплунов.

Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе является одним из крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях современной физики и технологии.

Академический университет (Алферовский университет) был создан в 1999 году как Научно-образовательный центр Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе РАН для интеграции науки и образования в области физики и информационных технологий. Инициатива организации центра принадлежала директору ФТИ, академику, Нобелевскому лауреату Жоресу Алферову, возглавлявшему университет до марта 2019 года.

Конференция посвящена фундаментальным и прикладным проблемам современной физики и технологии полупроводников. И.А. Каплунов представил материал в раздел программы мероприятия «Объемные полупроводники».

На конференции присутствовало 400 участников, количество поданных докладов составило 350.

И.А. Каплунов выступил в первый день сразу после открытия конференции с докладом на тему «Монокристаллы германия для фотоники», а также представил стендовый доклад «Теплопроводность монокристаллов германия». Были представлены материалы, посвященные развитию технологий и областей применения кристаллов германия в оптике, в фотоэлектронике, для детекторов гамма-излучений.

Доклады вызвали интерес, что подтвердилось последовавшими вопросами и обсуждением.

Подробнее о конференции